ALD1108EPCL
Nur als Referenz
| Teilenummer | ALD1108EPCL |
| PNEDA Teilenummer | ALD1108EPCL |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 10V 16DIP |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD1108EPCL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD1108EPCL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ALD1108EPCL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| FET-Typ | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 5V |
| Leistung - max | 600mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 16-PDIP |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket TUMT6 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 448pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
