AOB15B65M1
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| Teilenummer | AOB15B65M1 |
| PNEDA Teilenummer | AOB15B65M1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 30A TO263 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOB15B65M1 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOB15B65M1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AOB15B65M1 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | Alpha IGBT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 214W |
| Schaltenergie | 290µJ (on), 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/116ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 317ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 3A Leistung - max 56W Schaltenergie 20µJ (on), 68µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/76ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 160W Schaltenergie 240µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/77ns Testbedingung 400V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 420V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 650ns/13.5µs Testbedingung 300V, 10A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 118A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 270W Schaltenergie 1mJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 44nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/75ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 120ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
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