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AOK60B65H1

AOK60B65H1

Nur als Referenz

Teilenummer AOK60B65H1
PNEDA Teilenummer AOK60B65H1
Beschreibung IGBT 650V 60A TO-247
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $46,9042
100 ---------- $44,7056
250 ---------- $42,5069
500 ---------- $40,3083
750 ---------- $38,4761
1.000 ---------- $36,6439
Auf Lager 4.117
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOK60B65H1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOK60B65H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOK60B65H1, AOK60B65H1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 528,96 KB)
PDFAOK60B65H1 Datenblatt Cover
AOK60B65H1 Datenblatt Seite 2 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 3 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 4 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 5 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 6 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 7 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 8 AOK60B65H1 Datenblatt Seite 9

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AOK60B65H1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 60A
Leistung - max500W
Schaltenergie2.42mJ (on), 1.17mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.39ns/153ns
Testbedingung400V, 60A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)288ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/75ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKD06N60R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

330µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/127ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

FGH60N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/130ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGP6690D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/222ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IKU04N60RBKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

240µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/146ns

Testbedingung

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Kürzlich verkauft

MURS160T3G

MURS160T3G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

T520D337M006ATE015

T520D337M006ATE015

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

BNX023-01L

BNX023-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

T495D477K006ATE125

T495D477K006ATE125

KEMET

CAP TANT 470UF 10% 6.3V 2917

MC68HC705P6ACP

MC68HC705P6ACP

NXP

IC MCU 8BIT 4.5KB OTP 28DIP

HSMS-282L-TR1

HSMS-282L-TR1

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363

UPD720114GA-YEU-AT

UPD720114GA-YEU-AT

Renesas Electronics America

IC CONTROLLER USB 48TQFP

AT24C04D-SSHM-T

AT24C04D-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

ISL80103IRAJZ

ISL80103IRAJZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 10DFN

MT46V32M16P-5B IT:J

MT46V32M16P-5B IT:J

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP