AON6411
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| Teilenummer | AON6411 |
| PNEDA Teilenummer | AON6411 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 49.392 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AON6411 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AON6411 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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AON6411 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 47A (Ta), 85A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10290pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 7.3W (Ta), 156W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerSMD, Flat Leads |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2333pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 360W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V Vgs (Max) 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-563 Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
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