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APT10035JLL

APT10035JLL

Nur als Referenz

Teilenummer APT10035JLL
PNEDA Teilenummer APT10035JLL
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Hersteller Microsemi
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APT10035JLL Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT10035JLL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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APT10035JLL Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs186nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5185pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)520W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketISOTOP®
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

Paket / Fall

SC-85

RUE003N02TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

EMT3

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

PMZ200UNEYL

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

89pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN1006-3

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

N0413N-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 119W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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