APT100GN120B2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT100GN120B2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT100GN120B2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 22 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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APT100GN120B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT100GN120B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT100GN120B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 245A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 960W |
| Schaltenergie | 11mJ (on), 9.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 540nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/615ns |
| Testbedingung | 800V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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