APT13GP120BDQ1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT13GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT13GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 7.732 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT13GP120BDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT13GP120BDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT13GP120BDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 13A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 115µJ (on), 165µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 55nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9ns/28ns |
| Testbedingung | 600V, 13A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/116ns Testbedingung 480V, 16A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 AA (IXSA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 255W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 132nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/245ns Testbedingung 180V, 35A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.58V @ 15V, 12A Leistung - max 48W Schaltenergie 31µJ (on), 183µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/100ns Testbedingung 400V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 56ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 4A Leistung - max 40W Schaltenergie 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/390ns Testbedingung 800V, 4A, 120Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
