APT27GA90BD15
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| Teilenummer | APT27GA90BD15 |
| PNEDA Teilenummer | APT27GA90BD15 |
| Beschreibung | IGBT 900V 48A 223W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT27GA90BD15 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT27GA90BD15 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT27GA90BD15 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 48A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 79A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 14A |
| Leistung - max | 223W |
| Schaltenergie | 413µJ (on), 287µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 62nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9ns/98ns |
| Testbedingung | 600V, 14A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 155A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A Leistung - max 536W Schaltenergie 2500µJ (on), 2140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 485nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/385ns Testbedingung 400V, 75A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 420A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 70A Leistung - max 830W Schaltenergie 2.15mJ (on), 840µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 164nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/106ns Testbedingung 400V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/90ns Testbedingung 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max 30W Schaltenergie 152µJ (on), 258µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/96ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
