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APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Nur als Referenz

Teilenummer APT35GA90BD15
PNEDA Teilenummer APT35GA90BD15
Beschreibung IGBT 900V 63A 290W TO247
Hersteller Microsemi
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APT35GA90BD15 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT35GA90BD15
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT35GA90BD15 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)63A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 18A
Leistung - max290W
Schaltenergie642µJ (on), 382µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge84nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/104ns
Testbedingung600V, 18A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

*

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 120A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 4.41mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

66ns/185ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

202ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

MAX247™

APT30GP60LDLG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

463W

Schaltenergie

260µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/55ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

920ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGB4630DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

47A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

Leistung - max

206W

Schaltenergie

95µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/105ns

Testbedingung

400V, 18A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1050A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

28mJ (on), 30mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

540nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/320ns

Testbedingung

850V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-227B

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