APT35GN120L2DQ2G
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| Teilenummer | APT35GN120L2DQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT35GN120L2DQ2G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 94A 379W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.784 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT35GN120L2DQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT35GN120L2DQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT35GN120L2DQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 94A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | 379W |
| Schaltenergie | 2.315mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 24ns/300ns |
| Testbedingung | 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 96ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 370µJ (on), 1.42mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/250ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 46ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 140W Schaltenergie 900µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 20A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 60µJ (on), 80µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/110ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
