APT35GP120B2DQ2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT35GP120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT35GP120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 98 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT35GP120B2DQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT35GP120B2DQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 96A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 140A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | 543W |
| Schaltenergie | 750µJ (on), 680µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 150nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/95ns |
| Testbedingung | 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 366W Schaltenergie 970µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/177ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 72ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A Leistung - max 250W Schaltenergie 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/160ns Testbedingung 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A Leistung - max 192W Schaltenergie 1.5mJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 91ns/228ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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