APT60M75L2LLG
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT60M75L2LLG |
| PNEDA Teilenummer | APT60M75L2LLG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.426 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APT60M75L2LLG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | APT60M75L2LLG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APT60M75L2LLG Datasheet
- where to find APT60M75L2LLG
- Microsemi
- Microsemi APT60M75L2LLG
- APT60M75L2LLG PDF Datasheet
- APT60M75L2LLG Stock
- APT60M75L2LLG Pinout
- Datasheet APT60M75L2LLG
- APT60M75L2LLG Supplier
- Microsemi Distributor
- APT60M75L2LLG Price
- APT60M75L2LLG Distributor
APT60M75L2LLG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 73A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 36.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8930pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 893W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 264 MAX™ [L2] |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Ta), 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2309pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 25W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 960mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 580mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1645pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
