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APT70GR65B

APT70GR65B

Nur als Referenz

Teilenummer APT70GR65B
PNEDA Teilenummer APT70GR65B
Beschreibung IGBT 650V 134A 595W TO-247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.174
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APT70GR65B Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT70GR65B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT70GR65B Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)134A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 70A
Leistung - max595W
Schaltenergie1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge305nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/170ns
Testbedingung433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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IRGB30B60KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

350A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 44A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/155ns

Testbedingung

480V, 44A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

APT44GA60BD30C

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 26A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

409µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/102ns

Testbedingung

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IKQ50N120CT2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

652W

Schaltenergie

3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/312ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

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