APT75GP120B2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT75GP120B2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT75GP120B2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 259 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT75GP120B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT75GP120B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT75GP120B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 1042W |
| Schaltenergie | 1620µJ (on), 2500µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 320nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/163ns |
| Testbedingung | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 9V @ 3V, 150A Leistung - max 1.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOJ (0.094", 2.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSOJ |
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