APTGT100DH170G
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| Teilenummer | APTGT100DH170G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT100DH170G |
| Beschreibung | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.430 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGT100DH170G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT100DH170G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT100DH170G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Asymmetrical Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 560W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 62 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 62 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 140W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Leistung - max 110W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
