APTGT200TL60G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTGT200TL60G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT200TL60G |
| Beschreibung | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.110 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGT200TL60G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT200TL60G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT200TL60G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Level Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300A |
| Leistung - max | 652W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 12.2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250A Leistung - max 890W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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