APTGTQ100DDA65T3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTGTQ100DDA65T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGTQ100DDA65T3G |
| Beschreibung | POWER MODULE - IGBT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.122 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 25 - Jun 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGTQ100DDA65T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGTQ100DDA65T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGTQ100DDA65T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Dual Boost Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP3F |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 115A Leistung - max 460W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
