APTGTQ100H65T3G
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| Teilenummer | APTGTQ100H65T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGTQ100H65T3G |
| Beschreibung | POWER MODULE - IGBT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.466 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGTQ100H65T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGTQ100H65T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGTQ100H65T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Full Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP3F |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Leistung - max 760W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 7.5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y3-DCB Lieferantengerätepaket Y3-DCB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
