APTM08TDUM04PG
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| Teilenummer | APTM08TDUM04PG |
| PNEDA Teilenummer | APTM08TDUM04PG |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM08TDUM04PG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM08TDUM04PG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTM08TDUM04PG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| Leistung - max | 138W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6-P |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket SOT-28FL/ECH8 |
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