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APTM08TDUM04PG

APTM08TDUM04PG

Nur als Referenz

Teilenummer APTM08TDUM04PG
PNEDA Teilenummer APTM08TDUM04PG
Beschreibung MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.902
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 28 - Jul 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTM08TDUM04PG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM08TDUM04PG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTM08TDUM04PG, APTM08TDUM04PG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 283,3 KB)
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APTM08TDUM04PG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs153nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4530pF @ 25V
Leistung - max138W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6-P

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Hersteller

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Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.9A (Tc), 9.16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 5V, 23nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V

Leistung - max

5.2W (Tc), 3.9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SO

ECH8693R-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

SOT-28FL/ECH8

FDG6301N-F085P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6

VEC2616-TL-H-Z-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTC60AM83B1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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SP1

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