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APTM10DUM05TG

APTM10DUM05TG

Nur als Referenz

Teilenummer APTM10DUM05TG
PNEDA Teilenummer APTM10DUM05TG
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.546
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Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTM10DUM05TG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM10DUM05TG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTM10DUM05TG, APTM10DUM05TG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 200,47 KB)
PDFAPTM10DUM05TG Datenblatt Cover
APTM10DUM05TG Datenblatt Seite 2 APTM10DUM05TG Datenblatt Seite 3 APTM10DUM05TG Datenblatt Seite 4 APTM10DUM05TG Datenblatt Seite 5 APTM10DUM05TG Datenblatt Seite 6

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APTM10DUM05TG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.278A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs700nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20000pF @ 25V
Leistung - max780W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Vishay Siliconix

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

850mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Leistung - max

1.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Leistung - max

325mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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