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APTM50AM70FT1G

APTM50AM70FT1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTM50AM70FT1G
PNEDA Teilenummer APTM50AM70FT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APTM50AM70FT1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM50AM70FT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
APTM50AM70FT1G, APTM50AM70FT1G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 140,94 KB)
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APTM50AM70FT1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs340nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10800pF @ 25V
Leistung - max390W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Leistung - max

220mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

PMCM650CUNEZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

556mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

6-WLCSP (1.48x0.98)

APTM100H46FT3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

552mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

DMP2100UFU-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

906pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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IRF7325

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Leistung - max

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