APTM50AM70FT1G
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| Teilenummer | APTM50AM70FT1G |
| PNEDA Teilenummer | APTM50AM70FT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTM50AM70FT1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM50AM70FT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTM50AM70FT1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 42A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
| Leistung - max | 390W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X4-DSN3118-6 |
