APTMC120TAM33CTPAG
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| Teilenummer | APTMC120TAM33CTPAG |
| PNEDA Teilenummer | APTMC120TAM33CTPAG |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTMC120TAM33CTPAG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTMC120TAM33CTPAG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTMC120TAM33CTPAG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 78A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 60A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 3mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 1000V |
| Leistung - max | 370W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6-P |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1066pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
