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APTMC120TAM33CTPAG

APTMC120TAM33CTPAG

Nur als Referenz

Teilenummer APTMC120TAM33CTPAG
PNEDA Teilenummer APTMC120TAM33CTPAG
Beschreibung MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.420
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Voraussichtliche Lieferung Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTMC120TAM33CTPAG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTMC120TAM33CTPAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTMC120TAM33CTPAG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionSilicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 3mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs148nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2850pF @ 1000V
Leistung - max370W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6-P

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1464pF @ 25V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

IRF7379QTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V

Leistung - max

1.64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ALD1116PAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

IRF7555TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1066pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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