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AS4C256M16D3A-12BIN

AS4C256M16D3A-12BIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C256M16D3A-12BIN
PNEDA Teilenummer AS4C256M16D3A-12BIN
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3A-12BIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C256M16D3A-12BIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C256M16D3A-12BIN, AS4C256M16D3A-12BIN Datenblatt (Total Pages: 83, Größe: 2.026,13 KB)
PDFAS4C256M16D3A-12BINTR Datenblatt Cover
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AS4C256M16D3A-12BIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße4Gb (256M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-VFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (8x13)

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

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Speichertyp

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (4G x 1)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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