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AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C32M16SB-7TCN
PNEDA Teilenummer AS4C32M16SB-7TCN
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 23.592
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AS4C32M16SB-7TCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C32M16SB-7TCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C32M16SB-7TCN, AS4C32M16SB-7TCN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 1.267,1 KB)
PDFAS4C32M16SB-6TINTR Datenblatt Cover
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AS4C32M16SB-7TCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite14ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

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400ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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