AS4C32M32MD1-5BIN
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| Teilenummer | AS4C32M32MD1-5BIN |
| PNEDA Teilenummer | AS4C32M32MD1-5BIN |
| Beschreibung | IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.628 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AS4C32M32MD1-5BIN Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C32M32MD1-5BIN |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C32M32MD1-5BIN, AS4C32M32MD1-5BIN Datenblatt
(Total Pages: 43, Größe: 1.255,09 KB)
  
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AS4C32M32MD1-5BIN Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Speichergröße | 1Gb (32M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 5ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-FBGA (8x13) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.2ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 208-LFBGA Lieferantengerätepaket 208-FPBGA (15x15) |
