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AS4C512M32MD3-15BCNTR

AS4C512M32MD3-15BCNTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C512M32MD3-15BCNTR
PNEDA Teilenummer AS4C512M32MD3-15BCNTR
Beschreibung IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M32MD3-15BCNTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C512M32MD3-15BCNTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C512M32MD3-15BCNTR, AS4C512M32MD3-15BCNTR Datenblatt (Total Pages: 104, Größe: 2.927,28 KB)
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AS4C512M32MD3-15BCNTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR3
Speichergröße16Gb (512M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall178-VFBGA
Lieferantengerätepaket178-FBGA (11x11.5)

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

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Montagetyp

Surface Mount

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8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

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8-SOIC

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Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

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Speichertyp

-

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-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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