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AS4C512M8D3B-12BIN

AS4C512M8D3B-12BIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C512M8D3B-12BIN
PNEDA Teilenummer AS4C512M8D3B-12BIN
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C512M8D3B-12BIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C512M8D3B-12BIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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AS4C512M8D3B-12BIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße4Gb (512M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-FBGA (9x10.5)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (7.5x11)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

CY7C1312BV18-167BZCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

24LC21/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT41K256M16HA-125 AIT:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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