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AS8C401800-QC150N

AS8C401800-QC150N

Nur als Referenz

Teilenummer AS8C401800-QC150N
PNEDA Teilenummer AS8C401800-QC150N
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS8C401800-QC150N Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS8C401800-QC150N
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS8C401800-QC150N, AS8C401800-QC150N Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 2.597,41 KB)
PDFAS8C403600-QC150N Datenblatt Cover
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AS8C401800-QC150N Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4Mb (256K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite6.7ns
Zugriffszeit3.8ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Speicherformat

-

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-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM - EDO

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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