AT-41533-TR1
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| Teilenummer | AT-41533-TR1 |
| PNEDA Teilenummer | AT-41533-TR1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V SOT23 |
| Hersteller | Broadcom |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AT-41533-TR1 Ressourcen
| Marke | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AT-41533-TR1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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AT-41533-TR1 Technische Daten
| Hersteller | Broadcom Limited |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz |
| Gewinn | 9dB ~ 14.5dB |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.5dB @ 1GHz Gewinn 17dB Leistung - max 180W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 14mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M150 Lieferantengerätepaket M150 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 17V Frequenz - Übergang 3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 13.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 20dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
