AT-42010
Nur als Referenz
| Teilenummer | AT-42010 |
| PNEDA Teilenummer | AT-42010 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD |
| Hersteller | Broadcom |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.866 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AT-42010 Ressourcen
| Marke | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AT-42010 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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AT-42010 Technische Daten
| Hersteller | Broadcom Limited |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 13.5dB |
| Leistung - max | 600mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD (100 mil) |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10.5dB ~ 16dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.95dB @ 1.8GHz Gewinn 22.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 11dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-CPH |
