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AT45DB011-SC

AT45DB011-SC

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB011-SC
PNEDA Teilenummer AT45DB011-SC
Beschreibung IC FLASH 1M SPI 15MHZ 8SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 17.833
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB011-SC Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB011-SC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB011-SC, AT45DB011-SC Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 266,48 KB)
PDFAT45DB011-XI Datenblatt Cover
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AT45DB011-SC Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße1Mb (264 Bytes x 512 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz15MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C, Single Wire

Taktfrequenz

125kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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