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AT45DB161E-MHF-Y

AT45DB161E-MHF-Y

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB161E-MHF-Y
PNEDA Teilenummer AT45DB161E-MHF-Y
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 21.072
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB161E-MHF-Y Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB161E-MHF-Y
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB161E-MHF-Y, AT45DB161E-MHF-Y Datenblatt (Total Pages: 74, Größe: 2.532,43 KB)
PDFAT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Cover
AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 2 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 3 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 4 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 5 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 6 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 7 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 8 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 9 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 10 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 11

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AT45DB161E-MHF-Y Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (5x6)

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Micron Technology Inc.

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (128M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1.125Tb (144G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

267MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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