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AT45DB321B-RC

AT45DB321B-RC

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB321B-RC
PNEDA Teilenummer AT45DB321B-RC
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 20MHZ 28SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 3.222
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB321B-RC Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB321B-RC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB321B-RC, AT45DB321B-RC Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 230,21 KB)
PDFAT45DB321B-RI Datenblatt Cover
AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 2 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 3 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 4 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 5 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 6 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 7 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 8 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 9 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 10 AT45DB321B-RI Datenblatt Seite 11

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AT45DB321B-RC Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite14ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1.866GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

0.6V, 1.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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