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AT45DB321C-CU

AT45DB321C-CU

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB321C-CU
PNEDA Teilenummer AT45DB321C-CU
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 40MHZ 24CBGA
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 2.358
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB321C-CU Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB321C-CU
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB321C-CU, AT45DB321C-CU Datenblatt (Total Pages: 40, Größe: 716,6 KB)
PDFAT45DB321C-TC Datenblatt Cover
AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 2 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 3 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 4 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 5 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 6 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 7 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 8 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 9 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 10 AT45DB321C-TC Datenblatt Seite 11

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AT45DB321C-CU Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket24-CBGA (6x8)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (512K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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