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AT45DB641E-SHN2B-T

AT45DB641E-SHN2B-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB641E-SHN2B-T
PNEDA Teilenummer AT45DB641E-SHN2B-T
Beschreibung IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8SOIC
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 256
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB641E-SHN2B-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB641E-SHN2B-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB641E-SHN2B-T, AT45DB641E-SHN2B-T Datenblatt (Total Pages: 72, Größe: 2.740,84 KB)
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AT45DB641E-SHN2B-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße64Mb (256 Bytes x 32K pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Technologie

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Speichergröße

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-

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8, 128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

24-BGA (6x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

MT53E128M32D2DS-046 WT:A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2.133GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

0.6V, 1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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