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ATP213-TL-H

ATP213-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ATP213-TL-H
PNEDA Teilenummer ATP213-TL-H
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
Hersteller ON Semiconductor
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ATP213-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerATP213-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ATP213-TL-H, ATP213-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 338,84 KB)
PDFATP213-TL-H Datenblatt Cover
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ATP213-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3150pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketATPAK
Paket / FallATPAK (2 leads+tab)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

350V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4335pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

DMP34M4SPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

135A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

127nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3775pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IPI90R800C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 460µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Serie

QFET®

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

960mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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