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AUIRF2903Z

AUIRF2903Z

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRF2903Z
PNEDA Teilenummer AUIRF2903Z
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.264
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AUIRF2903Z Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRF2903Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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AUIRF2903Z Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6320pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

TK58E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

NDP7060

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

R6018JNXC7G

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

286mOhm @ 9A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 4.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 15V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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