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AUIRF7207QTR

AUIRF7207QTR

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRF7207QTR
PNEDA Teilenummer AUIRF7207QTR
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.250
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Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AUIRF7207QTR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRF7207QTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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AUIRF7207QTR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3620pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

AOD403_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQM50028EM_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

ZXMN6A09KQTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1426pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

10.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TPCF8B01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

330mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

VS-8 (2.9x1.5)

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Kürzlich verkauft

1N5254B

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 500MW DO35

H1102NL

H1102NL

Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

MP5505AGL-Z

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Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BOOST 7V 4A

MF-USMF075-2

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Bourns

PTC RESET FUSE 6V 750MA 1210

1N4148WS-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

BAS516,115

BAS516,115

Nexperia

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

170M3618

170M3618

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE SQUARE 350A 700VAC RECT

MCP6042-I/SN

MCP6042-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

STBB1-APUR

STBB1-APUR

STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN

ERA-3AEB101V

ERA-3AEB101V

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RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0603

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IC OFFLINE CTRLR SMPS OTP 8DIP