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AUIRGP50B60PD1E

AUIRGP50B60PD1E

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRGP50B60PD1E
PNEDA Teilenummer AUIRGP50B60PD1E
Beschreibung IGBT 600V 75A 390W TO247AD
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $72,7186
50 ---------- $69,3099
100 ---------- $65,9012
200 ---------- $62,4925
400 ---------- $59,6520
500 ---------- $56,8114
Auf Lager 20.494
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Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AUIRGP50B60PD1E Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRGP50B60PD1E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AUIRGP50B60PD1E, AUIRGP50B60PD1E Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 565,47 KB)
PDFAUIRGP50B60PD1E Datenblatt Cover
AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 2 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 3 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 4 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 5 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 6 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 7 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 8 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 9 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 10 AUIRGP50B60PD1E Datenblatt Seite 11

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AUIRGP50B60PD1E Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 50A
Leistung - max390W
Schaltenergie255µJ (on), 375µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge205nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/130ns
Testbedingung390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)42ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

270µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/68ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGD20N40LZ

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

700ns/4.3µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IRGS4640DTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGP4266D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IXSH24N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/450ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Kürzlich verkauft

MBR0540T1G

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

744043101

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MCH3478-TL-W

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

FDD86540

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CTX01-15473

CTX01-15473

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FIXED INDUCTOR

SI1865DDL-T1-GE3

SI1865DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

IC LOAD SW LVL SHIFT SC70-6

MMBT2907

MMBT2907

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23

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Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

ADP5054ACPZ-R7

ADP5054ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 48LFCSP

STM32L452RET6

STM32L452RET6

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IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64LQFP