AUIRS2012STR
Nur als Referenz
| Teilenummer | AUIRS2012STR |
| PNEDA Teilenummer | AUIRS2012STR |
| Beschreibung | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.120 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AUIRS2012STR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRS2012STR |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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AUIRS2012STR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.7V, 2.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 22ns, 15ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 13.5ns, 13ns Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-QSOP |
