BAT1505WE6327HTSA1
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| Teilenummer | BAT1505WE6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BAT1505WE6327HTSA1 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.124 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 22 - Jun 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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BAT1505WE6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAT1505WE6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Dioden - RF |
| Datenblatt |
BAT1505WE6327HTSA1, BAT1505WE6327HTSA1 Datenblatt
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BAT1505WE6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
| Strom - max | 110mA |
| Kapazität @ Vr, F. | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Widerstand @ If, F. | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Diodentyp PIN - Single Spannung - Peak Reverse (Max) 30V Strom - max 100mA Kapazität @ Vr, F. 0.37pF @ 20V, 1MHz Widerstand @ If, F. 350mOhm @ 100mA, 100MHz Verlustleistung (max.) 135mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Paket / Fall SOD-882 Lieferantengerätepaket SOD2 |
