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BC817DPNF

BC817DPNF

Nur als Referenz

Teilenummer BC817DPNF
PNEDA Teilenummer BC817DPNF
Beschreibung BC817DPN/SOT457/SC-74
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 6.498
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC817DPNF Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC817DPNF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BC817DPNF, BC817DPNF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 346,63 KB)
PDFBC817DPN/DG/B2 Datenblatt Cover
BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 2 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 3 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 4 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 5 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 6 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 7 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 8 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 9 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 10 BC817DPN/DG/B2 Datenblatt Seite 11

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BC817DPNF Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Leistung - max370mW
Frequenz - Übergang100MHz, 80MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

CEN894

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

1.31W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

18-SOL

JAN2N3810L

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

ZDT6705TC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP Darlington (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 5V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

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