BC850CLT1G
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| Teilenummer | BC850CLT1G |
| PNEDA Teilenummer | BC850CLT1G |
| Beschreibung | TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.048.446 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BC850CLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC850CLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BC850CLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 225mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500µA, 3V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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