BCR505E6327HTSA1
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| Teilenummer | BCR505E6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCR505E6327HTSA1 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 332.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BCR505E6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCR505E6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
BCR505E6327HTSA1, BCR505E6327HTSA1 Datenblatt
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BCR505E6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Leistung - max | 330mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 140MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-4 |
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