BD235
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| Teilenummer | BD235 |
| PNEDA Teilenummer | BD235 |
| Beschreibung | TRANS NPN 60V 2A SOT-32 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BD235 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BD235 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BD235 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 25W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-225AA, TO-126-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-32-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 1V Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 1V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 150mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 2A, 2V Leistung - max 1.1W Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-26 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 20mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 50mA, 10V Leistung - max 700mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SC-73 |
