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BF5020WE6327HTSA1

BF5020WE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BF5020WE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BF5020WE6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.112
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF5020WE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF5020WE6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BF5020WE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz800MHz
Gewinn26dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.2dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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ARF476FL

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenz

128MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

150V

Nennstrom (Ampere)

10A

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

0.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

11dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-5 Formed Leads

Lieferantengerätepaket

SOT263B-01

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S

PTFA210701EV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

Kürzlich verkauft

MBR0580-TP

MBR0580-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 80V 500MA SOD123

AD1580ART-REEL

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IC VREF SHUNT 1.225V SOT23

EPM7128STC100-15N

EPM7128STC100-15N

Intel

IC CPLD 128MC 15NS 100TQFP

SS14-E3/61T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

MMBD7000-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

CD40106BCN

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ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14DIP

STM32L452RET6

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STMicroelectronics

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