BF771E6327HTSA1

Nur als Referenz
Teilenummer | BF771E6327HTSA1 |
PNEDA Teilenummer | BF771E6327HTSA1 |
Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.724 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
BF771E6327HTSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | BF771E6327HTSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Datenblatt |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- BF771E6327HTSA1 Datasheet
- where to find BF771E6327HTSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BF771E6327HTSA1
- BF771E6327HTSA1 PDF Datasheet
- BF771E6327HTSA1 Stock
- BF771E6327HTSA1 Pinout
- Datasheet BF771E6327HTSA1
- BF771E6327HTSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BF771E6327HTSA1 Price
- BF771E6327HTSA1 Distributor
BF771E6327HTSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinn | 10dB ~ 15dB |
Leistung - max | 580mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 5.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1GHz Gewinn 10.5dB @ 1GHz Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SMCP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.2dBd Leistung - max 2095W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55TU-1 Lieferantengerätepaket 55TU-1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 97 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 12.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |