BFG10W/X,115
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| Teilenummer | BFG10W/X,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFG10W-X-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFG10W/X Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG10W/X,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG10W/X Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 1.9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 400mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 250mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343 Reverse Pinning |
| Lieferantengerätepaket | 4-SO |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-623F Lieferantengerätepaket M03 |
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