BFG25AW/X,115
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| Teilenummer | BFG25AW/X,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFG25AW-X-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.950 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFG25AW/X Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG25AW/X,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG25AW/X Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 500µA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6.5mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343 Reverse Pinning |
| Lieferantengerätepaket | 4-SO |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 23dB Leistung - max 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4V Frequenz - Übergang 26.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.55dB @ 2GHz Gewinn 16.9dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket USQ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 3mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB ~ 10.5dB Leistung - max 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55FW-1 Lieferantengerätepaket 55FW-1 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 7dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
