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BFG480W,135

BFG480W,135

Nur als Referenz

Teilenummer BFG480W,135
PNEDA Teilenummer BFG480W-135
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.482
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG480W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG480W,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG480W, BFG480W Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 362,42 KB)
PDFBFG480W Datenblatt Cover
BFG480W Datenblatt Seite 2 BFG480W Datenblatt Seite 3 BFG480W Datenblatt Seite 4 BFG480W Datenblatt Seite 5 BFG480W Datenblatt Seite 6 BFG480W Datenblatt Seite 7 BFG480W Datenblatt Seite 8 BFG480W Datenblatt Seite 9 BFG480W Datenblatt Seite 10 BFG480W Datenblatt Seite 11

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BFG480W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang21GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn16dB
Leistung - max360mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 80mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

300W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M218

Lieferantengerätepaket

M218

CPH6001A-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-CPH

66082B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

HFA3127RZ96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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2SC4618TLP

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

300MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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